Toshiba heeft het NAND flash geheugen bedacht en blijft de onbetwiste technologische marktleider, een positie die versterkt wordt door het strategische partnerschap met SanDisk USA, een koploper in het produceren van geheugenkaarten, gespecialiseerd in hoge dichtheid flash geheugen en MLC (multi level cell) NAND.
De totale investering van het nieuwe onderkomen (Fab 3) bij Toshiba's Yokkaichi operations wordt geschat op 200 biljoen Yen, (wat ongeveer USD 1.9 biljoen is bij de huidige wisselkoers), in de periode tot eind FY2005. Toshiba zal fondsen voor de constructie van het gebouw beschikbaar stellen terwijl Toshiba en SanDisk samen de benodigde fondsen zullen ophoesten voor de fabrieksuitrusting. Eenmaal in bedrijf zal het onder de naam FlashVision operationeel zijn, een joint venture van Toshiba en SanDisk voor NAND flash geheugen. De partijen zullen snel rondom de tafel gaan zitten om een samenwerkingscontract op te stellen voor Fab 3.
Er wordt een aanvankelijke productie van 10.000 wafers per maand verwacht, nadat de nieuwe 300mm locatie in bedrijf zal zijn in de 2e helft van FY2005, gebruikmakend van de 70-nanometer proces technologie die Toshiba en SanDisk momenteel gezamenlijk aan het ontwikkelen zijn. De verwachting is dat de productie van de 10.000 wafers per maand zal toenemen, tot een grotere productie van wafers en een evolutionaire verandering naar 55-nanometer proces in de komende jaren.
Commentaar gevend op de nieuwe locatie, zegt Mr. Shigeo Koguchi, Bedrijfspresident van Semiconductor Company bij de Toshiba corporation: "De vraag naar NAND flash geheugen groeit snel, door de vraag naar digitale consumenten apparaten zoals digitale camera's en mobiele telefoons met camera's. We verwachten dat markt zal verdubbelen in de periode van 2003 tot 2006. We geloven dat we met de bouw van dit nieuwe onderkomen, op tijd zijn om onze capaciteit te vergroten om zo tegemoet kunnen komen aan de behoeftes van de snel groeiende mark."
Dr. Eli Harari, President en Chief executive officer van SanDisk corporation zegt: "Fab 3, bij Toshiba's Yokkaichi operations, vertegenwoordigt een nieuwe fase in het uitstekende partnerschap van Toshiba en SanDisk. We verwachten dat Fab 3 state-of-the-art zal zijn en ons voorziet van concurrerende NAND flash geheugen wafers met een hoge capaciteit in de tweede helft van dit decennium. De markt voor NAND flash geheugen is al zeer groot en groeit nog steeds in een snel tempo en we verwachten dat hij onze bestaande voorraad zal overtreffen. Onze flash geheugenkaarten worden gebruikt in ontelbare consumenten elektronische artikelen en multimedia mobiele telefoons. We verwachten dat de toekomstige productie van Fab 3 een belangrijke strategische zet is om te kunnen voldoen en te anticiperen in de vraag van onze OEM en consumenten klanten naar Flash geheugen!" |
SanDisk Corporation en Toshiba Corporation hebben vandaag hun samenwerking aangekondigd voor het bouwen van een nieuwe 300mm wafer fabriekslocatie bij Toshiba's Yokkaichi operations om tegemoet te kunnen komen aan de groeiende vraag naar NAND flash geheugen. Verwacht wordt dat er massaproductie kan plaatsvinden op de nieuwe locatie om vooruit te lopen op Toshiba's FY2005, in plaats van het geplande FY2006 dat Toshiba in december vorig jaar aankondigde. Toshiba heeft nu de start van de bouw van de nieuwe locatie gepland in de eerste helft van het FY2004. Het niet-vluchtige NAND flash geheugen is het opslagmedium dat gekozen wordt voor gebruik in verschillende mobiele producten waaronder digitale camera's en multimedia mobiele telefoons.
